东芝起诉4家台湾企业半导体专利侵权

栏目:业界案例 发布时间:2014-07-23 浏览量: 545
东芝2014年6月3日发布消息称,已向台湾知识产权法院提出诉讼,起诉4家台湾企业,要求停止生产和销售NAND闪存并要求总计1亿元新台币的损害赔偿,理由是台企侵犯了其拥有的NAND闪存专利。

      东芝2014年6月3日发布消息称,已向台湾知识产权法院提出诉讼,起诉4家台湾企业,要求停止生产和销售NAND闪存并要求总计1亿元新台币的损害赔偿,理由是台企侵犯了其拥有的NAND闪存专利。

      据悉,4家被告分别是力晶科技股份有限公司、智旺科技股份有限公司、力积电子股份有限公司和瑄誉科技有限公司。东芝主张上述企业擅自使用了向半导体写入信息等相关专利。东芝此前曾向力晶半导体提出协商,但未得到任何回应,因此决定提起诉讼。

      东芝目前要求新台币1亿元赔偿金,并计划日后提高索赔金额。东芝也要求被告停止销售和制造被控侵权的产品。东芝在1987年发明NAND闪存,是目前全球主要制造商之一。NAND闪存广泛用于智能手机。